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- 型号： FDD5N53TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD5N53TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD5N53TM价格参考。Fairchild SemiconductorFDD5N53TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD5N53TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD5N53TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD5N53TM 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）表面贴装封装。其典型参数包括：VDS = 500 V、ID（连续）= 4.5 A（TC = 25°C）、RDS(on) ≈ 1.4 Ω（VGS = 10 V），具备快速开关特性与低栅极电荷（Qg ≈ 12 nC）。 该器件主要应用于中等功率、高电压的开关场景，典型用途包括： ✅ 离线式开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的主开关管或缓冲电路； ✅ DC-DC转换器：在升压（Boost）、反激（Flyback）拓扑中作为功率开关，适用于工业控制及家电电源模块； ✅ 电机控制：用于小功率直流无刷电机（BLDC）驱动的上/下桥臂，或风扇、泵类设备的PWM调速电路； ✅ 照明系统：LED恒流驱动、智能调光电路中的高压侧开关； ✅ 保护与接口电路：如电子保险丝、热插拔控制器、电源排序电路中的负载开关。 其TO-252封装兼顾散热性与PCB空间效率，适合自动化贴片生产；内置体二极管具备一定续流能力，可简化外围设计。需注意：在500 V高压应用中，应加强PCB爬电距离设计，并确保栅极驱动电压稳定（推荐10–15 V），避免因米勒效应导致误开通。 （注：Fairchild于2016年被ON Semiconductor收购，该型号现由ON Semiconductor持续供货并提供技术支持。）
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