Datasheet下载- 型号： FDD5N50UTF_WS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD5N50UTF_WS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD5N50UTF_WS价格参考。Fairchild SemiconductorFDD5N50UTF_WS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD5N50UTF_WS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD5N50UTF_WS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD5N50UTF_WS 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有500V耐压、5A连续漏极电流（Tc=25°C）、典型导通电阻Rds(on)为1.4Ω（Vgs=10V），并具备快速开关特性与内置ESD保护。 其主要应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC/服务器辅助电源中的PFC电路及主功率开关； ✅ 电机控制：适用于小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类家电的H桥或单管控制； ✅ 工业控制与电源模块：如PLC输出级、继电器替代、DC-DC转换器（反激、正激拓扑）中的主开关器件； ✅ 消费电子与照明：智能照明调光系统、大功率LED恒流驱动、充电器次级同步整流（需搭配控制器）等； ✅ 通用高压开关应用：如电池管理系统（BMS）中的充放电保护、HVDC断路、电磁阀驱动等中等功率场合。 该器件强调高可靠性与热性能（低热阻RθJC≈60°C/W），适合空间受限且需良好散热的PCB布局。注意：实际使用时需合理设计栅极驱动（避免振荡）、提供足够散热（建议覆铜面积≥1cm²）并考虑雪崩耐量（UIS额定值）以提升系统鲁棒性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD5N50UTF_WS |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FRFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
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