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- 型号： FDD5N50TF_WS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD5N50TF_WS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD5N50TF_WS价格参考。Fairchild SemiconductorFDD5N50TF_WS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD5N50TF_WS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD5N50TF_WS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD5N50TF_WS 是安森美（onsemi）出品的N沟道增强型高压MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，额定电压500V，连续漏极电流约5A（Tc=25°C），典型导通电阻Rds(on) ≈ 1.4Ω。其“_WS”后缀表明符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，具备增强的温度循环、HTRB及ESD耐受能力。 主要应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载电源系统中的DC-DC转换器（如12V→5V/3.3V辅助电源）、LED车灯驱动、电机控制（如小功率风扇、水泵驱动）、车身控制模块（BCM）中的负载开关； ✅ 工业电源：中小功率AC-DC适配器、开关电源（SMPS）的次级侧同步整流或初级侧开关（适用于<60W反激/准谐振拓扑）、PFC电路中的低频开关； ✅ 消费类设备：打印机、POS机、智能电表等对可靠性与温升有要求的嵌入式电源管理单元； ✅ 通用开关应用：替代传统继电器或双极型晶体管，用于中高压、中电流的固态开关场景，如电池保护电路、热插拔控制、LED恒流调光驱动等。 该器件因具备AEC-Q101认证、宽工作结温（–55°C ~ +150°C）、低栅极电荷（Qg≈12nC）及良好的雪崩耐量，特别适合需高可靠性、长寿命及一定恶劣环境适应性的中端功率控制场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD5N50TF_WS |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UniFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Tc） |
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