Datasheet下载- 型号： FDD45AN06LA0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD45AN06LA0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD45AN06LA0价格参考。Fairchild SemiconductorFDD45AN06LA0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD45AN06LA0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD45AN06LA0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD45AN06LA0 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有60V耐压、45A连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅12.5mΩ @ Vgs=10V），并具备快速开关特性与雪崩耐量。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于中大功率降压（Buck）转换器、同步整流电路，提升效率并减小散热需求； ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥或半桥驱动模块（如电动工具、风扇、家电控制）； ✅ 负载开关与电源管理：在工业控制板、服务器电源、LED驱动器中用作高效电子开关，实现上电时序控制、过流保护及热插拔功能； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（该型号为车规级版本），可用于车身控制模块（BCM）、座椅调节、车窗升降、LED前照灯调光等12V/24V车载系统； ✅ 电池管理系统（BMS）：作为充放电回路中的主控开关或保护开关，配合保护IC实现过流、短路防护。 其低Rds(on)和优良热性能（θjc ≈ 2.5°C/W）支持高密度PCB布局，无需额外散热片即可在中等负载下稳定运行。注意：实际应用中需合理设计栅极驱动（避免振荡）、提供足够散热及ESD防护，并参考安森美官方数据手册进行SOA（安全工作区）校核。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 25A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD45AN06LA0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 36 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD45AN06LA0DKR |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A （Ta）， 25A （Tc） |
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