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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC699P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC699P价格参考。Fairchild SemiconductorFDC699P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDC699P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC699P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC699P 是 Fairchild Semiconductor(现属安森美半导体 ON Semiconductor)推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET,采用 SOT-23 封装(超小型表面贴装),具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = –4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 7.5 nC)和额定电压 –20 V、连续漏极电流 –3.8 A(TA = 25°C)。 其典型应用场景包括: ✅ 便携式电子设备的电源管理:如智能手机、平板电脑、TWS 耳机中的负载开关或电池保护电路,利用其低电压驱动(–2.5 V 即可充分导通)适配低压逻辑(如 1.8 V/3.3 V GPIO 控制)。 ✅ 高效率 DC-DC 转换器的同步整流:常作为降压(Buck)转换器的下管(low-side switch),配合 N-MOSFET 上管实现高效同步整流。 ✅ 反向电流/反接保护电路:利用其体二极管方向与导通特性,实现输入电源反接防护(如 USB 供电端口、充电模块)。 ✅ LED 驱动与背光控制:用于中小功率 LED 的阴极侧调光开关,支持 PWM 调光。 ✅ H 桥或半桥驱动中的互补开关单元:与 N 沟道 MOSFET(如 FDC637AN)搭配,构成紧凑型电机驱动或音频放大电路。 其 SOT-23 封装节省空间,适合高密度 PCB 设计;但需注意散热限制,大电流持续工作时建议优化铜箔面积或降额使用。总体适用于对尺寸、效率和低压兼容性要求较高的中低功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 7A SSOT-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDC699P |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2640pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 7A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC699PDKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SSOT 扁平引线,SuperSOT™-6 FLMP |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Ta) |