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  • 型号: FDC6000NZ_F077
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDC6000NZ_F077由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC6000NZ_F077价格参考。Fairchild SemiconductorFDC6000NZ_F077封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDC6000NZ_F077参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC6000NZ_F077 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDC6000NZ_F077 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双N沟道增强型MOSFET阵列器件,主要用于需要高效开关和功率管理的应用场合。该器件采用小型封装,适合高密度PCB设计。

典型应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、负载开关或电池管理系统中,实现高效的能量传输与控制。

2. 电机驱动:在小型电机或步进电机的驱动电路中作为开关元件使用,具备良好的导通特性和快速响应能力。

3. 负载切换:适用于需要频繁开关负载的场合,如LED照明控制、继电器替代方案等。

4. 工业自动化:用于PLC模块、传感器接口电路中的信号控制与功率切换。

5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等设备中的电源控制部分。

该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高频率响应和良好的热稳定性,适合中低功率应用,且支持表面贴装工艺,便于大批量生产。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH DUAL 20V 7.3A 6-SSOP

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FDC6000NZ_F077

PCN设计/规格

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PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

PowerTrench®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

840pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 毫欧 @ 6.5A,4.5V

供应商器件封装

6-SSOP

功率-最大值

1.2W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-SSOT 扁平引线,SuperSOT™-6 FLMP

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.3A

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