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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDBL86210_F085由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDBL86210_F085价格参考。Fairchild SemiconductorFDBL86210_F085封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDBL86210_F085参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDBL86210_F085 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 169A MO-299AMOSFET N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 169 A |
| Id-连续漏极电流 | 169 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDBL86210_F085PowerTrench® |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDBL86210_F085 |
| Pd-PowerDissipation | 500 W |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Qg-GateCharge | 70 nC |
| Qg-栅极电荷 | 70 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.8 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5805pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.3 毫欧 @ 80A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PSOF |
| 其它名称 | FDBL86210_F085DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 850.052 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN |
| 封装/箱体 | MO-299A-8 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 169A (Tc) |
| 配置 | Single |