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- 型号： FDB2570
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB2570由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB2570价格参考。Fairchild SemiconductorFDB2570封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB2570参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB2570 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB2570 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.8 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 110 A）和优良的开关性能。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率BLDC电机控制器（如风机、泵、电动工具）的H桥或半桥功率级，支持高频PWM驱动； 3. 电池管理系统（BMS）：用作电池保护电路中的充放电主控开关或隔离MOSFET，配合保护IC实现过流/短路保护； 4. LED照明驱动：在大功率LED恒流驱动电源中作为主开关管，满足高效率、低EMI要求； 5. UPS与逆变器：在中小功率不间断电源或太阳能微逆变器中承担直流侧开关或输出级切换功能。 该器件具备雪崩耐量（UIS）和强抗dv/dt能力，适合高可靠性工业环境；其优化的栅极电荷（Qg ≈ 100 nC）兼顾开关速度与驱动损耗，适配主流栅极驱动IC。需注意PCB散热设计（建议大面积铜箔+过孔散热），并合理布局以抑制寄生振荡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB2570 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1911pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率-最大值 | 93W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Ta） |
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