Datasheet下载- 型号： FDB10AN06A0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB10AN06A0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB10AN06A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDB10AN06A0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB10AN06A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB10AN06A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB10AN06A0 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用D2PAK（TO-263）封装，具有60V耐压、10A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅12.5mΩ）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于中等功率的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）电源模块，提升效率并减小散热需求； 2. 电机驱动：适用于小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，尤其在电动工具、家电（如吸尘器、风扇）中承担高频率PWM开关功能； 3. 电源管理与保护电路：用作电子保险丝、热插拔控制器或负载开关，利用其低Rds(on)和雪崩耐量实现过流/短路保护； 4. LED照明驱动：在中高功率LED恒流驱动方案中作为主开关器件，支持调光控制与高效能运行； 5. 工业控制与电源适配器：常见于通信设备电源、工业PLC模块及通用AC-DC适配器的次级侧同步整流或主开关应用。 该器件具备良好的热性能（RθJC=1.5℃/W）和100% UIS（非钳位感性开关）能力，适合高可靠性、中等功率密度的设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB10AN06A0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1840pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率-最大值 | 135W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 75A （Tc） |
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