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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FD70N20PWD由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FD70N20PWD价格参考。Fairchild SemiconductorFD70N20PWD封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FD70N20PWD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FD70N20PWD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FD70N20PWD 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-252(DPAK)封装,具有 70A 连续漏极电流(ID)、200V 耐压(VDSS)和低导通电阻(典型 RDS(on) ≈ 18 mΩ @ VGS=10V)。其“PWD”后缀表明该器件优化了开关性能与热稳定性,适用于中高功率、高频开关场景。 典型应用场景包括: ✅ DC-DC 电源转换器:如工业/通信设备中的同步降压(Buck)转换器主开关管,利用其低 RDS(on) 和快速开关特性提升效率; ✅ 电机驱动电路:用于中小功率直流无刷电机(BLDC)或步进电机的H桥上/下臂开关,支持 PWM 调速; ✅ 电源管理模块:如电子负载、电池保护板(过流/短路保护)、热插拔(Hot-swap)控制电路中的主功率开关; ✅ LED 驱动电源:在恒流 LED 驱动器中作为调光或主控开关,适应中等功率路灯或商用照明系统; ✅ 逆变器辅助开关:在小功率离网逆变器或 UPS 的 DC-AC 级前级升压或隔离驱动环节中承担开关任务。 需注意:该器件为单个独立 MOSFET(非半桥集成),设计时须搭配合适栅极驱动器、RC 缓冲电路及散热措施(如敷铜散热或小型散热片),以充分发挥其性能并确保长期可靠性。不适用于线性稳压或极高频(>1 MHz)射频应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FD70N20PWD |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 70A (Ta) |