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  • 型号: FD70N20PWD
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FD70N20PWD由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FD70N20PWD价格参考。Fairchild SemiconductorFD70N20PWD封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FD70N20PWD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FD70N20PWD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FD70N20PWD 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-252(DPAK)封装,具有 70A 连续漏极电流(ID)、200V 耐压(VDSS)和低导通电阻(典型 RDS(on) ≈ 18 mΩ @ VGS=10V)。其“PWD”后缀表明该器件优化了开关性能与热稳定性,适用于中高功率、高频开关场景。

典型应用场景包括:  
✅ DC-DC 电源转换器:如工业/通信设备中的同步降压(Buck)转换器主开关管,利用其低 RDS(on) 和快速开关特性提升效率;  
✅ 电机驱动电路:用于中小功率直流无刷电机(BLDC)或步进电机的H桥上/下臂开关,支持 PWM 调速;  
✅ 电源管理模块:如电子负载、电池保护板(过流/短路保护)、热插拔(Hot-swap)控制电路中的主功率开关;  
✅ LED 驱动电源:在恒流 LED 驱动器中作为调光或主控开关,适应中等功率路灯或商用照明系统;  
✅ 逆变器辅助开关:在小功率离网逆变器或 UPS 的 DC-AC 级前级升压或隔离驱动环节中承担开关任务。

需注意:该器件为单个独立 MOSFET(非半桥集成),设计时须搭配合适栅极驱动器、RC 缓冲电路及散热措施(如敷铜散热或小型散热片),以充分发挥其性能并确保长期可靠性。不适用于线性稳压或极高频(>1 MHz)射频应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

产品图片

产品型号

FD70N20PWD

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

-

供应商器件封装

TO-3P

功率-最大值

-

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

70A (Ta)

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