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- 型号： FD6M043N08
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FD6M043N08由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FD6M043N08价格参考。Fairchild SemiconductorFD6M043N08封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FD6M043N08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FD6M043N08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FD6M043N08 是由 FSC（Fairchild Semiconductor，现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 PowerTrench® 技术），典型参数：VDS = 80V，RDS(on) ≈ 4.3mΩ（@ VGS = 10V），ID = 60A（连续，TC=25°C），采用 SO-8 封装（含引脚优化散热设计）。 其主要应用场景包括： ✅ 高效DC-DC电源转换：如服务器/通信设备中的同步降压（Buck）转换器次级侧同步整流，利用低导通电阻提升效率、降低温升； ✅ 电机驱动电路：用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动（需外置驱动逻辑），尤其适用于空间受限的工业控制板或电动工具； ✅ 负载开关与电源路径管理：在多电源系统（如USB PD适配器、便携式充电设备）中实现快速、低损耗的输入/输出电源切换与反向电流保护； ✅ LED驱动与照明电源：作为恒流调节开关或PWM调光主开关，支持高频率（>100kHz）开关，配合低栅极电荷（Qg≈45nC）减小驱动损耗； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充放电主控MOSFET（常与专用保护IC配合），提供过流/短路快速响应能力。 该器件集成双管结构，节省PCB面积，简化布局；具备雪崩耐受能力及100% Rg测试，适合工业级可靠性要求场景。注意：实际应用中需合理设计栅极驱动（避免振荡）、PCB散热焊盘及SO-8封装热管理。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC RECT MOD 75V/65A SYNC EPM15 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FD6M043N08 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Power-SPM™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 148nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.3 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | EPM15 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | EPM15 |
| 标准包装 | 19 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 65A |
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