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产品简介:
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FD6M016N03 是安森美(ON Semiconductor)推出的双通道N沟道逻辑电平MOSFET阵列(采用SO-8封装),具有低导通电阻(Rds(on)典型值1.6mΩ @ Vgs=10V,4.5mΩ @ Vgs=4.5V)、高电流能力(ID=60A单脉冲,连续30A)及优化的开关特性。其主要应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器,提升效率并降低温升; 2. 电机驱动:适用于中小功率有刷电机或步进电机的H桥驱动电路,双MOSFET结构便于紧凑布局; 3. 负载开关与电源管理:在笔记本电脑、SSD电源轨、热插拔电路中实现高效、快速的电源通断控制; 4. 电池管理系统(BMS):用于电池保护电路中的充放电路径控制,支持高电流和低损耗; 5. LED驱动与照明电源:在高亮度LED恒流驱动或调光电路中作开关器件。 该器件集成度高、寄生参数低,配合逻辑电平驱动(兼容3.3V/5V MCU),简化了外围设计,适用于对能效、空间和可靠性要求较高的中高功率嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MODULE PWR SPM 30V 80A EPM15 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FD6M016N03 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Power-SPM™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11535pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 295nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.6 毫欧 @ 40A,10V |
| 供应商器件封装 | EPM15 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | EPM15 |
| 标准包装 | 19 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A |