【未分类_FCX1051ATA】封装/厂家_FCX1051ATA中文资料_价格

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型号： FCX1051ATA
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FCX1051ATA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCX1051ATA价格参考。Diodes Inc.FCX1051ATA封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FCX1051ATA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCX1051ATA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FCX1051ATA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。该型号的 BJT 主要应用于以下场景：

 1. 开关电路
   - FCX1051ATA 可用作电子开关，适用于各种数字逻辑电路和控制电路中。例如，在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等场景中，它能够高效地实现电流的导通与截止。

 2. 信号放大
   - 作为一款 NPN 型晶体管，FCX1051ATA 能够用于音频信号放大器、射频信号放大器或其他低功率信号放大的场合。其高增益特性使其适合处理微弱信号的放大需求。

 3. 电源管理
   - 在一些简单的稳压电路或电流限制电路中，FCX1051ATA 可以充当关键元件。例如，它可以用于线性稳压器的设计，帮助稳定输出电压或限制负载电流。

 4. 传感器接口
   - 该晶体管可用于将传感器输出的微弱信号进行放大或转换为开关信号，以便后续处理。例如，在光电传感器、温度传感器或压力传感器的应用中，FCX1051ATA 可以起到信号调理的作用。

 5. 脉冲宽度调制 (PWM) 控制
   - 在 PWM 电路中，FCX1051ATA 可以用作功率级驱动晶体管，实现对 LED、小型电机或其他负载的调速或调光功能。

 6. 通信设备
   - 由于其良好的频率响应特性，FCX1051ATA 还可以应用于低频通信设备中的信号调制与解调电路。

 总结
FCX1051ATA 的典型应用场景包括但不限于开关电路、信号放大、电源管理、传感器接口、PWM 控制以及通信设备等。其性能特点决定了它在低功耗、低成本的电子设计中具有广泛的应用价值。在实际使用时，需要根据具体电路要求选择合适的偏置条件和外围元件，以确保其正常工作并达到预期效果。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANSISTOR NPN 40VCE 3A SOT-89两极晶体管 - BJT NPN Low Saturation
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Diodes Incorporated
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FCX1051ATA-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FCX1051ATA
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	340mV @ 100mA，5A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	290 @ 10mA，2V
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	SOT-89-3
其它名称	FCX1051ATR
功率-最大值	1W
包装	带卷（TR）
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	Diodes Incorporated
增益带宽产品fT	155 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-243AA
封装/箱体	SOT-89
工厂包装数量	1000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	2000 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	3 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,000
电压-集射极击穿（最大值）	40V
电流-集电极(Ic)（最大值）	3A
电流-集电极截止（最大值）	10nA
直流电流增益hFE最大值	290
直流集电极/BaseGainhfeMin	290 at 10 mA at 2 V, 270 at 1 A at 2 V, 270 at 3 A at 2 V, 130 at 5 A at 2 V, 40 at 10 A at 2 V
系列	FCX1051
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	40 V
集电极—基极电压VCBO	150 V
集电极连续电流	3 A
频率-跃迁	155MHz