ICGOO在线商城 > EM6J1T2R
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： EM6J1T2R
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
EM6J1T2R产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EM6J1T2R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供EM6J1T2R价格参考以及ROHM SemiconductorEM6J1T2R封装/规格参数等产品信息。 你可以下载EM6J1T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有EM6J1T2R详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 200MA EMT6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | EM6J1T2R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 115pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | EMT6 |
| 其它名称 | EM6J1T2RTR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/846-1001-KIT/846-1001-KIT-ND/2277302 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA |
