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详细数据请看参考数据手册
- 型号： EFC6604R-TR
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EFC6604R-TR由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EFC6604R-TR价格参考。ON SemiconductorEFC6604R-TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EFC6604R-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EFC6604R-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
EFC6604R-TR是安森美（ON Semiconductor）推出的一款MOSFET阵列产品，属于N沟道功率MOSFET，采用双芯片封装设计，具有低导通电阻和高开关效率的特点。该器件广泛应用于需要高效能、小体积电源管理的场景。 其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的电源开关与负载管理，用于电池供电系统的电源通断控制，有效降低功耗并提升能效；在DC-DC转换器中作为同步整流开关，提高转换效率，适用于降压（Buck）或升压（Boost）电路；还可用于电机驱动电路、LED驱动电源以及各类小型电源管理系统中，实现快速响应和低损耗控制。 EFC6604R-TR采用紧凑型封装（如DFN），适合高密度PCB布局，满足现代电子产品小型化需求。其良好的热性能和可靠性也使其适用于工业控制、消费类电子和物联网设备等对稳定性要求较高的环境。总体而言，该器件适用于中低功率、高频开关且注重能效与空间利用率的电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 24V 6A EFCP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | EFC6604R-TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | 6-EFCP （1.9x1.46） |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-XFBGA |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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