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  • 型号: EFC4615R-TR
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供EFC4615R-TR由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EFC4615R-TR价格参考。ON SemiconductorEFC4615R-TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载EFC4615R-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EFC4615R-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

EFC4615R-TR是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET单管产品,广泛应用于需要高效、低功耗开关性能的电子系统中。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和良好的热稳定性,适合在便携式设备与电源管理模块中使用。

典型应用场景包括:便携式电子设备中的负载开关或电源切换控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备;电池供电系统的电源管理单元,用于防止反向电流和实现节能待机功能;各类DC-DC转换器中的同步整流或开关元件,提升转换效率;此外,也适用于电机驱动电路、LED驱动电源以及小型电源适配器等低电压、中等电流的开关应用。

由于其采用小型化表面贴装封装(如DFN或类似封装),EFC4615R-TR节省PCB空间,适合高密度布局设计,同时具备良好的热性能,有助于提高系统可靠性。综合来看,该MOSFET特别适合对能效、尺寸和热管理有较高要求的消费类电子和工业控制应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

EFC4615R-TR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.8nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

31 毫欧 @ 3A,4.5V

供应商器件封装

EFCP1515-4CC-037

功率-最大值

1.6W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

4-XBGA,4-FCBGA

标准包装

5,000

漏源极电压(Vdss)

24V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Ta)

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