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- 型号： ECH8301-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ECH8301-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ECH8301-TL-E价格参考。ON SemiconductorECH8301-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ECH8301-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ECH8301-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ECH8301-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能RF MOSFET，属于双通道N沟道增强型硅基MOSFET，采用超小型ES6（0.65 mm × 0.45 mm）封装，专为高频、低功耗射频开关应用优化。其典型应用场景包括：智能手机、平板电脑及可穿戴设备中的天线调谐与前端模块（FEM）开关；支持LTE/WCDMA/5G NR Sub-6 GHz频段（DC–3.8 GHz）的发射/接收路径切换；Wi-Fi 6/6E（2.4 GHz / 5 GHz / 6 GHz）和蓝牙共存系统中的多路射频开关；以及物联网终端中对尺寸、插入损耗（典型0.35 dB @ 2.4 GHz）、隔离度（>25 dB）和高线性度（IIP2 > +90 dBm）有严苛要求的集成射频前端。该器件具备低导通电阻（RON ≈ 0.4 Ω）、快速开关时间（<10 ns）及优异的ESD防护能力（HBM ±2 kV），支持1.2 V–2.8 V低电压逻辑控制，适用于空间受限且需高能效的便携式无线设备。
产品参数
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