Datasheet下载- 型号： EC3A03B-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EC3A03B-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EC3A03B-TL-H价格参考。ON SemiconductorEC3A03B-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EC3A03B-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EC3A03B-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的EC3A03B-TL-H是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于低噪声、小信号JFET，广泛应用于对噪声敏感和高输入阻抗要求的模拟电路中。其主要应用场景包括音频放大器、前置放大器和传感器信号调理电路。由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，EC3A03B-TL-H特别适合用于麦克风前置放大、吉他拾音器放大等高保真音频设备中，能有效减少信号失真，提升音质表现。此外，该器件也常用于精密测量仪器、医疗电子设备以及工业控制中的弱信号放大环节。其表面贴装封装（SOT-23）便于在紧凑型电路板上实现高密度布局，适用于便携式电子设备。整体而言，EC3A03B-TL-H凭借其稳定性能和低功耗特点，在需要高质量模拟信号处理的场合中表现出色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 1MA 100MW ECSP1006-3 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | EC3A03B-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1.5V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 50µA @ 20V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1.7pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | 3-ECSP1006 |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
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