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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTB513ZETL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTB513ZETL价格参考。ROHM SemiconductorDTB513ZETL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTB513ZETL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTB513ZETL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DTB513ZETL 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),主要用于小型电子设备中的开关和放大电路。该器件内部集成了偏置电阻,简化了外围电路设计,提高了稳定性,适用于对空间和功耗要求较高的应用场合。 该晶体管常用于以下场景: 1. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,用于电源管理、信号切换等; 2. 汽车电子系统:如车载传感器、LED照明控制、ECU模块等,具备良好的温度稳定性和可靠性; 3. 工业控制设备:用于小型继电器驱动、传感器信号处理、逻辑电路接口; 4. 消费类电子产品:如数码相机、音频设备、遥控器等,适用于低功耗、小尺寸电路设计; 5. 通信模块:在无线模块、蓝牙设备、Wi-Fi芯片组中作为开关或信号放大元件。 由于其集成电阻设计,减少了外部元件数量,提升了装配效率,适合高密度PCB布局和自动化生产。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANSISTOR DIGITAL PNP 12V; 500mA |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTB513ZETL- |
数据手册 | |
产品型号 | DTB513ZETL |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 140 @ 100mA,2V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | EMT3 |
其它名称 | DTB513ZETLTR |
典型电阻器比率 | 10 |
典型输入电阻器 | 1 kOhms |
功率-最大值 | 150mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
封装/箱体 | EMT-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 140 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 12 V |
集电极连续电流 | - 500 mA |
频率-跃迁 | 260MHz |