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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA123EET1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA123EET1G价格参考。ON SemiconductorDTA123EET1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTA123EET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTA123EET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 DTA123EET1G 是一款预偏置型双极结型晶体管(BJT),属于数字晶体管类别,内置基极-发射极电阻,简化了电路设计。该器件采用 SOT-23 小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局。 DTA123EET1G 主要用于低电流开关和信号放大应用,常见于便携式电子设备和消费类电子产品中。典型应用场景包括:手机、平板电脑、笔记本电脑中的电源管理开关;LED驱动电路中的控制开关;各类小型家电(如电动牙刷、充电式玩具)的控制电路;以及工业控制模块中的逻辑电平转换与小信号开关。 由于其内置偏置电阻,无需外接基极电阻,显著减少元件数量和PCB空间,提高系统可靠性,特别适用于空间受限和追求高集成度的设计。此外,该器件具有良好的开关特性与稳定性,可在较宽温度范围内可靠工作,适合工业级环境应用。 综上,DTA123EET1G 广泛应用于消费电子、便携设备、家用电器及工业控制等领域,作为高效、紧凑的开关元件使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | DTA123EET1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 5mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 8 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SC-75,SOT-416 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |