【未分类_DTA114EET1】封装/厂家_DTA114EET1中文资料_价格

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型号： DTA114EET1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供DTA114EET1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA114EET1价格参考。ON SemiconductorDTA114EET1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载DTA114EET1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTA114EET1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

DTA114EET1 是安森美（ON Semiconductor）推出的PNP型数字晶体管（即带内置偏置电阻的预偏置BJT），其内部集成10kΩ上拉电阻（R1）和10kΩ发射极-基极下拉电阻（R2），实现1:1的电阻比（R1/R2=1），典型直流电流增益（hFE）约30–150（在Ic=10mA时）。该器件采用SOT-23小尺寸封装，具备低功耗、高集成度与简化外围电路的特点。

主要应用场景包括：  
1. 逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如STM32、ESP32）GPIO直接驱动LED、蜂鸣器或继电器线圈（配合限流/续流元件），无需外接基极电阻；  
2. 开关控制电路：在电源管理模块中作低压侧负载开关（如控制3.3V/5V系统中的LED指示灯、小型电磁阀等）；  
3. 信号反相与缓冲：利用其PNP结构实现信号取反（高电平输入→输出关断，低电平输入→输出导通），常用于状态指示或使能控制；  
4. 电池供电设备：因静态电流极小（IB≈0.3mA @ VBE=−0.7V）、关断漏电流低（ICEX<100nA），适用于便携式仪表、IoT传感器节点等对功耗敏感场合；  
5. 替代传统分立BJT+电阻方案：节省PCB面积与BOM成本，提升生产一致性与可靠性。

注意：使用时需确认负载电流不超过其最大集电极电流（IC=100mA，连续；200mA，脉冲），并留有足够裕量以保障长期稳定性。

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