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详细数据请看参考数据手册
- 型号： DS1265AB-70
- 制造商： Maxim
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DS1265AB-70由Maxim设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DS1265AB-70价格参考。MaximDS1265AB-70封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DS1265AB-70参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DS1265AB-70 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DS1265AB-70 是 Maxim Integrated（现属 Analog Devices）推出的一款非易失性静态RAM（NV SRAM），属于存储器类别。其核心特点是：内置锂电池、无需外部备用电源，掉电后数据可保存长达10年；容量为64K×8位（512 Kbit），访问时间70 ns，采用DIP-28封装。 主要应用场景包括： - 工业控制系统：用于PLC、CNC设备中保存运行参数、校准数据或故障日志，确保断电不丢失关键配置； - 通信设备：在路由器、基站等设备中缓存配置信息、MAC地址表或临时会话数据，提升重启后快速恢复能力； - 医疗电子仪器：如监护仪、影像设备，可靠存储患者设置、校准系数及紧急事件记录，满足高可靠性与数据完整性要求； - 智能电表与能源管理系统：持久记录用电数据、需量值和事件时间戳，符合计量标准对数据不可丢失的强制性要求； - 嵌入式终端与POS机：在无实时备份机制的场景下，保障交易缓冲区、密钥或用户偏好等敏感信息的断电安全。 该器件因集成电源管理与自动写保护功能，简化了系统设计，适用于对数据可靠性要求严苛、且不便增加外部BBSRAM或EEPROM扩展方案的中低端嵌入式系统。需注意其内置电池不可更换，生命周期受使用环境温度影响，典型应用温度范围为0°C至70°C。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36EDIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Maxim Integrated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DS1265AB-70 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 36-EDIP |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 8M（1M x 8） |
| 封装/外壳 | 36-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 9 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 速度 | 70ns |
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