Datasheet下载- 型号： DS1250AB-100
- 制造商： Maxim
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DS1250AB-100由Maxim设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DS1250AB-100价格参考。MaximDS1250AB-100封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DS1250AB-100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DS1250AB-100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DS1250AB-100是Maxim Integrated（现属Analog Devices）推出的非易失性静态RAM（NV SRAM），容量为64K × 8位（512 Kbit），访问时间为100 ns。其核心特点是内置锂电池和自动数据保护机制：在主电源掉电时，芯片无缝切换至片内锂原电池供电，确保SRAM中数据可保存长达10年（典型值），无需外部备用电源管理电路。 主要应用场景包括： - 工业控制与PLC：用于保存实时运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息，断电不丢失； - 医疗设备（如监护仪、影像设备）：保障患者设置、配置参数及临时诊断数据的可靠性； - 通信设备（基站、路由器）：存储MAC地址表、路由缓存、配置快照等需快速读写且掉电保持的数据； - 智能电表/水气表：记录累计用量、事件记录（如断电/异常开盖）、费率时段等计量关键数据； - 军工与航空航天：适用于高可靠性、宽温（-40°C 至 +85°C）、抗冲击振动环境下的嵌入式系统数据暂存。 该器件已停产（EOL），但因其“即插即用”的NV特性，在替代方案（如FRAM或带外部BBS（Battery Backup Switching）的SRAM）尚未普及前，曾广泛用于对写入寿命、速度和确定性要求高，且无法接受Flash擦写延迟或EEPROM写入时间的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Maxim Integrated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DS1250AB-100 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-EDIP |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 4M （512K x 8） |
| 封装/外壳 | 32-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 11 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 速度 | 100ns |
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