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产品简介:
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DS1249AB-85 是达拉斯半导体(Dallas Semiconductor,后被Maxim Integrated收购,现属Analog Devices)推出的一款非易失性静态RAM(NV SRAM),属于存储器类别。其核心特点是:内置锂电池、无需外部备用电源即可实现断电数据保持(典型保持时间10年以上),读写速度与普通SRAM一致(访问时间85ns),且无需电池更换或外部管理电路。 主要应用场景包括: - 工业控制与PLC系统:用于保存实时运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息,确保断电后数据不丢失; - 医疗设备:如监护仪、影像设备中存储配置设置、患者临时数据或设备自检结果; - 通信设备:基站、路由器中的配置缓存、MAC地址表或会话上下文,要求高速读写+断电保护; - 智能电表/水气表:记录累积用量、事件记录(如断电/过压时间戳),满足计量可靠性要求; - 嵌入式系统与仪器仪表:替代EEPROM或Flash,避免写入延迟与擦写寿命限制(NV SRAM支持无限次读写)。 注:该器件已停产,属经典老型号,当前多用于维护升级或对长期供货稳定性有要求的存量设备中。实际应用需注意锂电池老化风险及RoHS合规性替代方案(如基于FRAM或带外置电源管理的新型NV SRAM)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 2MBIT 85NS 32EDIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Maxim Integrated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DS1249AB-85 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-EDIP |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
| 存储容量 | 2M (256K x 8) |
| 封装/外壳 | 32-DIP 模块(0.600",15.24mm) |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 11 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 速度 | 85ns |