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型号： DS1230YL-100LOT:110213
制造商： Maxim
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供DS1230YL-100LOT:110213由Maxim设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DS1230YL-100LOT:110213价格参考。MaximDS1230YL-100LOT:110213封装/规格：未分类，暂无。您可以下载DS1230YL-100LOT:110213参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DS1230YL-100LOT:110213 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

DS1230YL-100LOT:110213 是 Maxim Integrated（现属 Analog Devices）推出的非易失性静态RAM（NV SRAM），即“带内置锂电池的实时时钟+SRAM”模块，但需注意：该型号实为 DS1230Y 系列中的具体批次（LOT:110213 表示2011年2月13日生产），封装为DIP-28，容量为64Kbit（8K × 8），工作电压5V，访问时间100ns。

其核心特点是：内部集成可充电锂原电池（LiSO₂）、SRAM、电源监控电路及自动写保护机制。当主电源掉电时，芯片无缝切换至电池供电，确保SRAM数据在十年以上不丢失（典型寿命10年），无需外部EEPROM或Flash的写入延时与擦写次数限制。

典型应用场景包括：  
- 工业控制设备中需长期保存关键参数、校准数据、运行计数或故障日志的场景；  
- 医疗仪器（如监护仪、输液泵）中对实时性与数据可靠性要求极高的配置与事件记录；  
- 通信基站/路由器的配置寄存器缓存，保障断电后快速恢复；  
- 老旧嵌入式系统（如基于8051、Z80等MCU）中替代传统电池+SRAM分立方案，简化设计并提升可靠性；  
- 需要“即时读写、无限次擦写、掉电零丢失”的高可靠小容量数据暂存场合。

注：因内置电池不可更换且已停产（Maxim于2010年代逐步停产后被ADI整合），当前多用于维护既有设备或对成本/兼容性敏感的利旧项目，新设计建议评估DS1248、DS1249或现代FRAM/NVRAM替代方案。

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