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  • 型号: DS1230Y-200IND+
  • 制造商: Maxim
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DS1230Y-200IND+产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DS1230Y-200IND+由Maxim设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DS1230Y-200IND+价格参考。MaximDS1230Y-200IND+封装/规格:存储器, NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 200ns 28-EDIP。您可以下载DS1230Y-200IND+参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DS1230Y-200IND+ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

DS1230Y-200IND+ 是由 Maxim Integrated(现为 Analog Devices, Inc.)生产的一款非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)。其主要应用场景包括:

1. 数据保护与存储:DS1230Y 提供 32K x 8 位的存储容量,能够在系统断电时通过内部的非易失性功能保存关键数据。适用于需要频繁读写且要求数据在掉电后不丢失的应用场景,例如工业控制、医疗设备和通信系统。

2. 实时数据记录:由于 NVSRAM 的高速读写性能和非易失性特点,该器件非常适合用于实时数据记录任务,如电力监控、环境监测等领域的数据采集与存储。

3. 嵌入式系统配置存储:在嵌入式系统中,可以用来存储系统的配置参数、校准数据或运行状态信息,确保设备重启后能够快速恢复到之前的设置。

4. 日志记录:在需要记录操作历史或错误日志的设备中(如打印机、复印机或网络设备),DS1230Y 可以可靠地保存这些信息以便后续分析。

5. 汽车电子应用:在汽车行业中,可用于存储导航数据、驾驶习惯统计或其他需要长期保存的信息,同时满足车载环境中对可靠性和温度范围的要求。

6. 消费类电子产品:例如数码相机、家用电器等产品中,可以用作临时缓存或者用户偏好设置的永久存储介质。

总之,DS1230Y-200IND+ 凭借其高性能、低功耗及高可靠性,在各种需要安全、快速数据存储的场合都有着广泛的应用价值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIPNVRAM 256k Nonvolatile SRAM

产品分类

存储器

品牌

Maxim Integrated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

内存,NVRAM,Maxim Integrated DS1230Y-200IND+-

数据手册

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产品型号

DS1230Y-200IND+

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25703http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25705

产品种类

NVRAM

供应商器件封装

28-EDIP

包装

管件

商标

Maxim Integrated

存储器类型

NVSRAM(非易失 SRAM)

存储容量

256 kbit

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

28-DIP 模块(0.600",15.24mm)

封装/箱体

EDIP-28

工作温度

-40°C ~ 85°C

工作电流

85 mA

工厂包装数量

12

应用说明

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接口

并联

接口类型

Parallel

数据总线宽度

8 bit

最大工作温度

+ 85 C

最小工作温度

- 40 C

标准包装

1

格式-存储器

RAM

电压-电源

4.5 V ~ 5.5 V

电源电压-最大

5.5 V

电源电压-最小

4.5 V

系列

DS1230Y

组织

32 k x 8

访问时间

200 ns

速度

200ns

零件号别名

90-1230Y+00I DS1230Y

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