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DS1230Y-200IND+产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DS1230Y-200IND+由Maxim设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DS1230Y-200IND+价格参考。MaximDS1230Y-200IND+封装/规格:存储器, NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 200ns 28-EDIP。您可以下载DS1230Y-200IND+参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DS1230Y-200IND+ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DS1230Y-200IND+ 是由 Maxim Integrated(现为 Analog Devices, Inc.)生产的一款非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)。其主要应用场景包括: 1. 数据保护与存储:DS1230Y 提供 32K x 8 位的存储容量,能够在系统断电时通过内部的非易失性功能保存关键数据。适用于需要频繁读写且要求数据在掉电后不丢失的应用场景,例如工业控制、医疗设备和通信系统。 2. 实时数据记录:由于 NVSRAM 的高速读写性能和非易失性特点,该器件非常适合用于实时数据记录任务,如电力监控、环境监测等领域的数据采集与存储。 3. 嵌入式系统配置存储:在嵌入式系统中,可以用来存储系统的配置参数、校准数据或运行状态信息,确保设备重启后能够快速恢复到之前的设置。 4. 日志记录:在需要记录操作历史或错误日志的设备中(如打印机、复印机或网络设备),DS1230Y 可以可靠地保存这些信息以便后续分析。 5. 汽车电子应用:在汽车行业中,可用于存储导航数据、驾驶习惯统计或其他需要长期保存的信息,同时满足车载环境中对可靠性和温度范围的要求。 6. 消费类电子产品:例如数码相机、家用电器等产品中,可以用作临时缓存或者用户偏好设置的永久存储介质。 总之,DS1230Y-200IND+ 凭借其高性能、低功耗及高可靠性,在各种需要安全、快速数据存储的场合都有着广泛的应用价值。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIPNVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
产品分类 | |
品牌 | Maxim Integrated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 内存,NVRAM,Maxim Integrated DS1230Y-200IND+- |
数据手册 | |
产品型号 | DS1230Y-200IND+ |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25703http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25705 |
产品种类 | NVRAM |
供应商器件封装 | 28-EDIP |
包装 | 管件 |
商标 | Maxim Integrated |
存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
存储容量 | 256 kbit |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 28-DIP 模块(0.600",15.24mm) |
封装/箱体 | EDIP-28 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
工作电流 | 85 mA |
工厂包装数量 | 12 |
应用说明 | 点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet |
接口 | 并联 |
接口类型 | Parallel |
数据总线宽度 | 8 bit |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 1 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
电源电压-最大 | 5.5 V |
电源电压-最小 | 4.5 V |
系列 | DS1230Y |
组织 | 32 k x 8 |
访问时间 | 200 ns |
速度 | 200ns |
零件号别名 | 90-1230Y+00I DS1230Y |