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MT47H64M8CF-25E IT:G TR产品简介:
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MT47H64M8CF-25E IT:G TR是美光科技(Micron Technology Inc.)生产的一款DDR SDRAM存储器,属于高性能、低功耗的8M x 8结构同步动态随机存取存储器,工作电压为3.3V,采用TSOP-II封装。该型号广泛应用于对稳定性、可靠性和温度适应性要求较高的工业级和嵌入式系统中。 典型应用场景包括:工业自动化设备(如PLC控制器、工控机)、网络通信设备(如路由器、交换机)、医疗电子设备、车载信息系统以及军工与航空航天领域。由于其支持工业级温度范围(通常为-40°C至+85°C),该芯片能够在极端环境条件下稳定运行,适合恶劣或温差较大的使用场景。 此外,该产品常用于需要中等容量内存且对数据读写速度有一定要求的嵌入式系统中,作为主存储器支持处理器高效运行。其“IT”后缀表明符合工业级可靠性标准,“TR”表示卷带包装,适用于自动化贴片生产流程,有利于大批量制造。 综上,MT47H64M8CF-25E IT:G TR是一款面向工业与嵌入式领域的可靠存储解决方案,适用于高稳定性需求的长期运行设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60BGA |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT47H64M8CF-25E IT:G TR |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 60-FBGA(8x10) |
| 其它名称 | 557-1527-6 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 512M(64M x 8) |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 2.5ns |