Datasheet下载- 型号： DS1230AB-200
- 制造商： Maxim
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DS1230AB-200由Maxim设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DS1230AB-200价格参考。MaximDS1230AB-200封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DS1230AB-200参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DS1230AB-200 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DS1230AB-200是Maxim Integrated（现属Analog Devices）推出的非易失性静态RAM（NV SRAM），容量为64K × 8位（512 Kbit），内置锂电池和自动写保护电路，掉电时由片内电池供电，确保数据不丢失。其典型应用场景包括： - 工业控制系统：用于PLC、DCS等设备中保存实时运行参数、校准数据、故障日志及配置信息，保障断电后关键数据零丢失。 - 医疗电子设备：如监护仪、影像设备，在待机或断电时持续保留患者设置、测量校准值、最后工作状态等安全敏感数据。 - 通信基础设施：在基站、路由器、交换机中存储MAC地址表、路由配置、密钥或固件更新暂存区，提升系统重启后的快速恢复能力。 - 金融终端与POS机：保存交易流水缓存、加密密钥、设备序列号等需高可靠性的关键信息，满足金融行业数据完整性要求。 - 嵌入式仪器仪表：如示波器、频谱分析仪，用于记录触发条件、用户自定义设置及测量历史，无需外部EEPROM或Flash的擦写延时与寿命限制。 该器件采用DIP-28封装，支持标准SRAM时序（读写周期200ns），兼容TTL电平，简化设计；内置电源切换与写保护逻辑，免去外部电池管理电路。虽已停产（属成熟产品），仍在大量工业/军工存量设备中服役，常作为高可靠性、低延迟、无限次读写NV存储的优选方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Maxim Integrated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DS1230AB-200 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-EDIP |
| 其它名称 | DS1230AB200 |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 256K （32K x 8） |
| 封装/外壳 | 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 应用说明 | |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 12 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 速度 | 200ns |
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