Datasheet下载- 型号： DMN2400UFB-7
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2400UFB-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2400UFB-7价格参考。Diodes Inc.DMN2400UFB-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2400UFB-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2400UFB-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN2400UFB-7是一款P沟道增强型MOSFET，适用于多种电源管理和开关应用。其主要特点包括低导通电阻、小型封装和高可靠性，适合在需要高效能和小体积设计的电路中使用。 该器件的典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制，提高能效并延长电池寿命。 2. 负载开关：在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）中作为高侧或低侧开关，控制电源流向不同模块。 3. 电机驱动与继电器替代：用于小型电机、继电器或电磁阀的开关控制，具有较高的开关速度和耐用性。 4. 保护电路：用于过流、欠压或反向电压保护电路中，作为快速切断电源的开关元件。 5. 工业控制与自动化设备：如PLC、传感器模块、工业通信设备中的电源控制与信号切换。 其采用的SOT26封装适合表面贴装，适用于高密度PCB布局，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN2400UFB-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 36pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 550 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-X1DFN1006 |
| 其它名称 | DMN2400UFB-7DICT |
| 功率-最大值 | 470µW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 750mA （Ta） |
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