Datasheet下载- 型号： DMN2013UFX-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2013UFX-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2013UFX-7价格参考。Diodes Inc.DMN2013UFX-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2013UFX-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2013UFX-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN2013UFX-7是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，常用于需要高效、低电压操作的电路设计中。其应用场景主要包括： 1. 电源管理：适用于电池供电设备中的电源开关、负载切换及DC-DC转换器，支持高效能与低功耗设计。 2. 电机驱动：可用于小型电机或步进电机的控制电路，实现对机器人、打印机、风扇等设备的驱动管理。 3. 负载开关与继电器替代：作为固态开关，用于替代传统机械继电器，提高系统可靠性并减小体积，适用于工业控制、自动化设备。 4. LED照明控制：用于LED驱动电路中，实现对亮度调节与多路LED的独立控制。 5. 通信设备：适用于通信模块中的信号切换与功率控制，如基站、路由器和光模块中的电源管理单元。 6. 汽车电子：可用于车载设备中的电源控制模块，如车灯控制、电动窗驱动等，符合AEC-Q101车规标准。 该器件采用小型DFN封装，适合高密度PCB布局，适用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DMN2013UFX-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2607pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57.4nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.5 毫欧 @ 8.5A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | DMN2013UFX-7DIDKR |
| 功率-最大值 | 780mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A |
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