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DMG7702SFG-7产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMG7702SFG-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4310pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 13.5A,10V |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 其它名称 | DMG7702SFG-7DICT |
| 功率-最大值 | 890mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta) |