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详细数据请看参考数据手册
- 型号： DMG6968LSD-13
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG6968LSD-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG6968LSD-13价格参考。Diodes Inc.DMG6968LSD-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMG6968LSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG6968LSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMG6968LSD-13 是一款P沟道MOSFET，属于单MOSFET晶体管，采用1.2mm×1.2mm的小型SC-70封装，适合高密度PCB布局。其主要应用场景包括便携式电子设备和电源管理电路。 该器件常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，因其低导通电阻（RDS(on)）和低阈值电压，能有效降低功耗，提升能效。此外，DMG6968LSD-13也适用于电压反转保护电路，防止电池反接损坏系统，广泛应用于移动电源、充电器和USB接口保护中。 在驱动能力方面，它可配合N沟道MOSFET构成电平转换或半桥驱动电路，用于小型电机控制或LED驱动模块。其快速开关特性有助于提高系统响应速度与稳定性。 由于采用无铅环保封装并符合RoHS标准，该型号适用于对环保要求较高的消费类电子产品。总体而言，DMG6968LSD-13凭借小尺寸、高效能和高可靠性，广泛应用于各类低电压、低功耗的便携式设备和电源管理场景中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DMG6968LSD-13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 151pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 36 毫欧 @ 3.5A， 1.8V |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | DMG6968LSD-13DI |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | - |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.5A （Ta） |
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