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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DF10G7M1N,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DF10G7M1N,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.DF10G7M1N,LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DF10G7M1N,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DF10G7M1N,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的型号DF10G7M1N,LF属于TVS(瞬态电压抑制器)二极管类别,主要应用于电路保护领域。以下是其典型应用场景: 1. 过电压保护:该器件能够有效抑制因雷击、静电放电(ESD)或开关操作引起的瞬态过电压,保护敏感电子设备免受损害。 2. 通信接口保护:适用于各种通信接口(如USB、RS-232、以太网等),防止信号线上的瞬态电压对收发器芯片造成损坏。 3. 电源线保护:在电源输入端使用,可防止外部电源波动或浪涌对内部电路的影响,确保设备稳定运行。 4. 汽车电子系统:用于车载电子设备中,例如ECU(电子控制单元)、传感器和娱乐系统,抵御汽车环境中常见的电气干扰和电压波动。 5. 消费类电子产品:在电视、音响、家用电器等产品中提供保护功能,增强产品的可靠性和安全性。 6. 工业自动化设备:保护PLC、变频器和其他工业控制设备中的关键组件,避免因恶劣环境下的电气干扰导致故障。 DF10G7M1N,LF以其低电容特性适合高速信号线路保护,同时具备高响应速度和强大的浪涌吸收能力,能够在多种复杂环境下为电子设备提供可靠的保护解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 5VWM 12VC 10DFNTVS二极管阵列 ESD 0.3pF 0.5uA 6V VBR 1mA Diode |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF10G7M1N |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,Toshiba DF10G7M1N,LF- |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF10G7M1N |
产品型号 | DF10G7M1N,LFDF10G7M1N,LF |
不同频率时的电容 | 0.3pF @ 1MHz |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30275 |
产品种类 | TVS二极管阵列 |
供应商器件封装 | 10-DFN (2.5x1) |
其它名称 | DF10G7M1NLFTR |
击穿电压 | 6 V |
功率-峰值脉冲 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
单向通道 | 4 |
双向通道 | - |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 10-UFDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | DFN-10 |
工作温度 | - |
工厂包装数量 | 3000 |
应用 | 通用 |
标准包装 | 3,000 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/esd-protection-diodes/52610 |
电压-击穿(最小值) | 6V |
电压-反向关态(典型值) | 5V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 12V (标准) |
电容 | 0.3 pF |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1A (8/20µs) |
电源线路保护 | 是 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 齐纳 |
通道 | 1 Channel |
钳位电压 | 12 V |