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  • 型号: DBD10G-E
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DBD10G-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DBD10G-E价格参考。ON SemiconductorDBD10G-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DBD10G-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DBD10G-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V SIP桥式整流器 REC 1A 600V BRIDGE

产品分类

桥式整流器分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,桥式整流器,ON Semiconductor DBD10G-E-

数据手册

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产品型号

DBD10G-E

二极管类型

单相

产品

Single Phase Bridge

产品种类

桥式整流器

供应商器件封装

-

包装

带盒(TB)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

宽度

6.5 mm

封装

Bulk

封装/外壳

4-SMD,鸥翼型

封装/箱体

SMD-4

峰值反向电压

600 V

工厂包装数量

70

最大反向漏泄电流

10 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

30 A

最小工作温度

- 40 C

标准包装

70

正向电压下降

1.05 V

正向连续电流

1 A

电压-峰值反向(最大值)

600V

电流-DC正向(If)

1A

系列

DBD10G-E

长度

6.8 mm

高度

2.5 mm

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