Datasheet下载- 型号： DB6J314K0R
- 制造商： Panasonic Corporation
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DB6J314K0R由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DB6J314K0R价格参考。Panasonic CorporationDB6J314K0R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DB6J314K0R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DB6J314K0R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Panasonic Electronic Components 的型号为 DB6J314K0R 的二极管 - 整流器 - 阵列，是一种专门设计用于高效整流和保护电路的半导体器件。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 该型号常用于直流电源转换器、开关电源（SMPS）以及电池充电器中，作为整流元件将交流电转换为直流电。 - 在降压或升压电路中，用于提高效率并减少功率损耗。 2. 信号保护 - DB6J314K0R 可用于保护电子设备免受瞬态电压（如 ESD 或浪涌）的影响。其快速响应特性使其适合在敏感电路中提供过压保护。 - 常见于通信设备、消费电子产品和工业控制系统的输入/输出端口保护。 3. 电机驱动与控制 - 在无刷直流电机（BLDC）或其他电机驱动电路中，用作续流二极管，确保电流平稳流动，防止反电动势对电路造成损害。 - 适用于家用电器（如风扇、洗衣机）、汽车电子和工业自动化领域。 4. 数据通信 - 在高速数据传输接口（如 USB、RS-232 或 CAN 总线）中，用于防止信号反射和干扰，同时提供必要的隔离功能。 - 其低正向压降和高切换速度特性，非常适合需要高性能的数据线路保护。 5. 汽车电子 - 该型号符合车规级应用需求，可用于车载音响系统、导航设备、照明控制模块等场景中的整流和保护。 - 在启动马达或发电机相关电路中，能够承受较高的电流负载和温度变化。 6. 光伏与储能系统 - 在太阳能逆变器或储能电池管理系统中，作为关键组件参与能量转换过程，保证系统稳定运行。 - 能够有效降低功耗，提升整体效率。 总结 DB6J314K0R 凭借其优良的电气性能（如低正向电压、高反向耐压和快速恢复时间），广泛应用于各类需要高效整流和电路保护的场合。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域，它都能提供可靠且高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SMINI6肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER FLT LD 2.0x2.1mm |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic |
| 产品手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+ANE7003+DB6J314K+8+WW |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Panasonic DB6J314K0R- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+CDF7003+DB6J314K+8+WW |
| 产品型号 | DB6J314K0RDB6J314K0R |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 30mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 300nA @ 30V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 3 个独立式 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25374 |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SMini6-F3-B |
| 其它名称 | DB6J314K0RDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 1ns |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | SMini6-F3-B |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 1 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 0.3 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1 V |
| 正向连续电流 | 30 mA |
| 热阻 | - |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 30mA（DC） |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
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