Datasheet下载- 型号： DB2W31900L
- 制造商： Panasonic Corporation
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DB2W31900L由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DB2W31900L价格参考。Panasonic CorporationDB2W31900L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DB2W31900L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DB2W31900L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Panasonic Electronic Components 的 DB2W31900L 是一款表面贴装型肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），属于整流二极管中的单二极管类型。该器件具有低正向压降和高速开关特性，适用于对效率和响应速度要求较高的电路。 其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源管理电路，用于DC-DC转换器的续流与整流，提升能源利用效率；消费类电子产品（如电视、机顶盒、路由器）的电源模块中，实现高效整流和反向电流保护；此外，也广泛应用于适配器、充电器、LED驱动电源等小型电源系统中，发挥其高效率、低功耗的优势。 DB2W31900L 采用紧凑的SOD-123FL小型封装，适合高密度贴装，有助于节省PCB空间，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适应自动化贴片生产工艺。由于其优异的电气性能和小型化设计，该型号特别适用于追求轻薄化、节能化的现代电子设备，在工业控制、通信设备和家用电器等领域也有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 3A MINI2肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER FLT LD 1.6x3.5mm |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Panasonic DB2W31900L- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+CDF7001+DB2W319+8+WW |
| 产品型号 | DB2W31900LDB2W31900L |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 490mV @ 3A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 70pF @ 10V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 30V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25374 |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | 迷你型2-F3-B |
| 其它名称 | DB2W31900LDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 23ns |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | Mini2-F3-B |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工作温度-结 | 125°C （最大） |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 23 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 200 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 30 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.49 V |
| 正向连续电流 | 3000 mA |
| 热阻 | - |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io) | 3A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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