Datasheet下载- 型号： DB2J31400L
- 制造商： Panasonic Corporation
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DB2J31400L由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DB2J31400L价格参考。Panasonic CorporationDB2J31400L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DB2J31400L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DB2J31400L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Panasonic Electronic Components 旗下的型号 DB2J31400L 是一款高性能的整流二极管，属于单整流器二极管类别。该器件主要设计用于将交流电（AC）转换为直流电（DC），广泛应用于各类电源系统中。 DB2J31400L 具有高反向耐压（1400V）和适中的正向电流能力，适合在高压、小电流或中等电流的整流场合使用。其典型应用场景包括：开关电源（SMPS）、电源适配器、充电器、LED驱动电源、家用电器（如微波炉、洗衣机、空调）的内部电源模块，以及工业控制设备中的整流电路。 由于采用紧凑型封装（如SOD-123FL），该二极管具备良好的散热性能和空间利用率，适用于高密度PCB布局。同时，其低漏电流和高可靠性使其能在较宽温度范围内稳定工作，适合在环境要求较高的工业与消费类电子产品中使用。 此外，DB2J31400L 符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子制造对环保和可靠性的双重需求。综上，该型号二极管是一款适用于多种中高压整流应用的优选器件，特别适合注重效率、安全与小型化的电源设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 0.03A SMINI2肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER FLT LD 1.25x2.5mm |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | PanasonicPanasonic Electronic Components - Semiconductor Products |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Panasonic DB2J31400L- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+CDF7003+DB2J314+8+WW |
| 产品型号 | DB2J31400LDB2J31400L |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 30mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1.5pF @ 10V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 300nA @ 30V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25374 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SMini2-F5-B |
| 其它名称 | DB2J31400LCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | 1ns |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SMini2-F5-B |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工作温度-结 | 125°C （最大） |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 1 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 0.3 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1 V |
| 正向连续电流 | 30 mA |
| 热阻 | - |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io) | 30mA（DC） |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
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