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- 型号： CYD02S36V18-200BBC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CYD02S36V18-200BBC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CYD02S36V18-200BBC价格参考。Cypress SemiconductorCYD02S36V18-200BBC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CYD02S36V18-200BBC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CYD02S36V18-200BBC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CYD02S36V18-200BBC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），具体为 2Mb（256K × 8/128K × 16/64K × 36）ZBT（Zero Bus Turnaround）型 QDR SRAM，工作频率达200MHz（周期时间5ns），采用165-ball BGA封装（BB = fine-pitch ball grid array）。 该器件主要面向对低延迟、高带宽和确定性时序要求严苛的嵌入式与通信系统。典型应用场景包括： - 网络设备：在高端路由器、交换机及网络处理器（NPU）中用作数据包缓冲、查找表（如TCAM辅助缓存）或队列管理存储； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN）中的帧缓存与速率适配； - 测试与测量仪器：高速逻辑分析仪、协议分析仪中用于实时数据捕获与暂存； - 军事/航空电子系统：雷达信号处理、实时图像缓存等需抗干扰、宽温（工业级-40°C~85°C）及高可靠性的场景（该型号符合工业级规范）； - FPGA协处理器接口：常与Xilinx或Intel FPGA搭配，作为高速片外缓存，支撑DMA突发读写与双端口并行访问。 其ZBT架构支持无缝读写切换（零总线转向延迟），配合36位数据总线（支持x36模式），特别适合需要高吞吐（理论峰值带宽达1.44 GB/s）与严格时序控制的数据流处理应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 2MBIT 200MHZ 256FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CYD02S36V18-200BBC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 256-FBGA（17x17） |
| 其它名称 | CYD02S36V18200BBC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量 | 2M（64K x 36） |
| 封装/外壳 | 256-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 90 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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