Datasheet下载- 型号： CY7C2565KV18-500BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C2565KV18-500BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C2565KV18-500BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C2565KV18-500BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C2565KV18-500BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C2565KV18-500BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C2565KV18-500BZC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），具体为 256-Mbit（32M × 8）QDR™ II+ SRAM，工作频率达 500 MHz（周期时间 2 ns），采用 165-ball BGA 封装。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如核心路由器、交换机中的数据包缓冲、FIFO 队列和查找表缓存，利用 QDR II+ 的双数据速率读/写分离端口特性，实现高吞吐、低延迟的并发访问。 - 电信基础设施：在 4G/5G 基站的基带处理单元（BBU）中，用于实时信号处理（如 FFT、信道均衡）所需的低延迟暂存；支持多端口并行访问，适配 DSP/FPGA 协同架构。 - 高端测试与测量仪器：如高速逻辑分析仪、示波器，用作深度采集缓存，满足大容量、纳秒级采样时序对带宽与确定性延迟的严苛要求。 - 军事与航空航天电子系统：在雷达信号处理、电子战（EW）设备中，凭借工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）、高可靠性及抗辐射设计（符合相关标准），保障关键任务实时性。 该器件不适用于普通消费类嵌入式系统（如 MCU 外扩内存），因其成本高、功耗较大且需专用时序控制，主要面向对带宽（理论峰值达 8 GB/s）、确定性延迟和并发读写能力有极致要求的专业领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 500MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C2565KV18-500BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II+ |
| 存储容量 | 72M（2M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 500MHz |
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