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- 型号： CY7C2263XV18-600BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C2263XV18-600BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C2263XV18-600BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C2263XV18-600BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C2263XV18-600BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C2263XV18-600BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C2263XV18-600BZXC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌Infineon）推出的一款高性能、低功耗、3.3V QDR™ II+ SRAM（四倍数据速率同步静态随机存取存储器），容量为72Mb（4M × 18位），工作频率达600MHz（周期时间1.67ns），支持双倍数据速率读/写，具备独立读写端口和流水线式地址输入，适用于高带宽、低延迟数据缓冲场景。 典型应用场景包括： ✅ 网络通信设备：在高端路由器、交换机及网络处理器（NPU）中，用作包缓存、FIFO缓冲、查找表（如TCAM辅助缓存）或流量整形队列，满足线速转发对纳秒级访问延迟与高吞吐（可达14.4 GB/s）的需求； ✅ 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、光传输系统（OTN/SDH）中的信元/帧缓存与时钟域桥接； ✅ 测试与测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器的实时采样数据暂存，利用其突发读写能力捕获连续高速信号； ✅ 军事与航空航天电子系统：在雷达信号处理、电子战（EW）设备中承担确定性低延迟的中间数据缓存任务（该器件符合工业级温度范围–40°C至+85°C，并通过JESD22可靠性认证）。 需注意：该芯片已进入产品生命周期末期（EOL），Cypress于2021年发布PCN通知，建议新设计选用英飞凌后续兼容替代型号（如PSRAM或QDR III系列），但现有系统仍广泛用于工业及通信领域存量设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 600MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49109 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C2263XV18-600BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C2263XV18600BZXC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II+ |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 600MHz |
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