Datasheet下载- 型号： CY7C21701KV18-400BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C21701KV18-400BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C21701KV18-400BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C21701KV18-400BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C21701KV18-400BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C21701KV18-400BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C21701KV18-400BZXC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），具体为 1.8V、18Mb（1M × 18）QDR-II+ SRAM，工作频率达 400MHz（tCLK = 2.5ns），采用 165-ball FBGA 封装。 其典型应用场景集中在对带宽、低延迟和确定性时序要求极高的高速数据通路中，主要包括： - 网络通信设备：如高端路由器、交换机及网络处理器（NPU）中的缓存、队列管理（QoS）、包缓冲和查找表（LUT）暂存； - 电信基础设施：基站（BBU/RRU）、光传输系统（OTN）、分组交换核心中的流量整形与突发数据缓存； - 测试与测量仪器：高速逻辑分析仪、协议分析仪中用于实时采集大容量时序数据； - 军事/航天与工业控制：需高可靠性、宽温（–40°C 至 +85°C，工业级）和抗干扰能力的嵌入式实时系统，如雷达信号处理前端缓存； - FPGA 协处理器加速：作为 Xilinx 或 Intel FPGA 的外部高速共享缓存，支撑图像处理、FFT 运算等流水线密集型任务。 该器件支持 QDR-II+ 双数据速率架构（读写独立总线），可实现真正并发读写操作，显著提升吞吐效率，适用于需要持续高吞吐（可达 1.6 GB/s）且无等待周期的关键路径。注意：Cypress 已于 2020 年被英飞凌收购，产品线延续支持，但新设计建议关注英飞凌后续兼容升级型号。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C21701KV18-400BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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