Datasheet下载- 型号： CY7C1648KV18-400BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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- 要求：
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1648KV18-400BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1648KV18-400BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1648KV18-400BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1648KV18-400BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1648KV18-400BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1648KV18-400BZXC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于18位总线宽度、2Mb容量（128K × 18）的QDR-II+（Quad Data Rate II Plus）SRAM。其典型应用场景聚焦于对带宽、低延迟和确定性时序要求极高的高速数据缓冲与暂存领域，主要包括： - 网络通信设备：用于高端路由器、交换机、网络处理器（NPU）中的包缓存、队列管理、FIB（转发信息库）表项暂存等，凭借QDR-II+双沿采样与独立读/写端口，支持高达800 MT/s的数据吞吐，满足线速转发需求。 - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、OTN/SDH传输设备中，作为FPGA或ASIC的高速协处理器缓存，用于实时信号处理（如FFT、滤波）、突发数据缓冲及多协议适配。 - 测试与测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器等需大深度、高采样率数据捕获的设备中，用作实时数据流暂存，保障无丢点采集。 - 军事与航空航天电子系统：在雷达信号处理、电子对抗等对可靠性、温度范围（该器件为工业级–40°C至+85°C）及抗干扰性要求严苛的场景中，提供确定性低延迟访问。 注：该器件已于2020年前后进入产品寿命终止（EOL）流程，当前多被英飞凌后续QDR-IV或低功耗LPDDR系列替代，新设计建议评估替代方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 144MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49098 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1648KV18-400BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 其它名称 | 428-3163 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量 | 144M（8M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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