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  • 型号: CY7C1623KV18-333BZXC
  • 制造商: Cypress Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1623KV18-333BZXC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1623KV18-333BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1623KV18-333BZXC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1623KV18-333BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1623KV18-333BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1623KV18-333BZXC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于18Mb(1024K × 18位)QDR™ II+架构的双端口SRAM。其主要应用场景集中在对带宽、低延迟和确定性时序要求极高的高速数据处理系统中:

- 网络通信设备:广泛用于高端路由器、交换机、防火墙及网络处理器(NPU)中,作为数据包缓冲、队列管理、查找表(如TCAM辅助缓存)和流量整形的高速暂存单元;QDR II+的读写独立总线支持每周期双操作,满足线速转发需求。

- 电信基础设施:应用于基站(尤其是4G LTE/5G前传与基带单元)、光传输系统(OTN/SDH)中的信元/帧缓存、FIFO及协议处理缓冲。

- 测试与测量设备:高速逻辑分析仪、协议分析仪等需实时捕获并暂存海量高速信号数据,该器件提供333MHz时钟(666MT/s有效速率)和纳秒级访问延迟,保障无丢帧采集。

- 军事与航空航天电子系统:在雷达信号处理、电子对抗(ECM)等对可靠性、温度范围(工业级–40°C至+85°C)和抗辐射性能有要求的场景中,作为关键缓存或FPGA协处理器的外扩高速内存。

注:该芯片已进入产品生命周期末期(EOL),当前多用于存量设备维护或替代设计评估,新项目建议参考英飞凌后续兼容方案(如PSRAM或新型QDR SRAM)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 144MBIT 333MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

http://www.cypress.com/?docID=43073

产品图片

产品型号

CY7C1623KV18-333BZXC

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(15x17)

其它名称

CY7C1623KV18333BZXC

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,DDR II

存储容量

144M(8M x 18)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

105

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

333MHz

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