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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1520KV18-333BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1520KV18-333BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1520KV18-333BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1520KV18-333BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1520KV18-333BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1520KV18-333BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1520KV18-333BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V供电的18位×128K（2.3MB）QDR II+ SRAM。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、查找表（LUT）、FIB（转发信息库）缓存，得益于QDR II+双数据速率架构（读/写独立端口、200–333 MHz时钟下高达666 MT/s吞吐率），可满足线速处理需求。 - 电信与基站系统：在4G/LTE和早期5G基带处理中，用作FPGA或DSP的低延迟外扩缓存，支撑信道编码/解码、FFT运算等实时数据暂存。 - 测试测量与高端仪器：如逻辑分析仪、高速示波器的数据采集缓冲，利用其零等待、确定性访问特性保障采样数据无丢失。 - 军事与航天嵌入式系统：该器件为工业级扩展温度（–40°C 至 +85°C）且符合JESD22可靠性标准，部分版本（含ZI后缀）支持无铅、符合RoHS，并具备抗辐射加固设计基础，适用于高可靠性场景。 需注意：该型号已进入Cypress产品生命周期末期（EOL），英飞凌官网显示其停产状态，新设计建议评估替代型号（如Infineon QDR IV SRAM或FPGA内嵌BRAM+高速接口方案）。实际选型应结合功耗、引脚兼容性及长期供货能力综合考量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49102 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1520KV18-333BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=47160 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1520KV18333BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 72M（2M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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