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产品简介:
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CY7C1518KV18-300BZI 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V低电压、18位数据总线、512K×18结构(共9Mb)的高速CMOS SRAM,工作频率达300MHz(时钟周期3.33ns),支持流水线/突发读写模式。 其典型应用场景包括: - 网络通信设备:用作路由器、交换机、防火墙中的数据包缓存、FIFO缓冲或查找表(如TCAM辅助缓存),满足高吞吐与低延迟需求; - 工业与嵌入式系统:在FPGA协处理器、DSP实时数据缓存、运动控制卡等对确定性访问时序要求严格的场景中,提供零等待、无刷新的可靠存储; - 测试测量仪器:如高速逻辑分析仪、示波器采集模块,利用其纳秒级随机访问能力暂存高速采样数据; - 航空航天与国防电子:因该器件为工业级温度范围(–40°C 至 +85°C)且具有高可靠性设计,适用于抗干扰要求高的军用通信、雷达信号处理前端缓存。 注:该型号后缀“BZI”表示采用165-ball FBGA封装(13mm×13mm)、无铅、符合RoHS,并支持工业级温度范围,适用于空间受限且需稳定运行的嵌入式环境。不适用于需要大容量、低成本或非易失性的场景(如主存或固态存储)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49102 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1518KV18-300BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=44765 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 其它名称 | CY7C1518KV18300BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,DDR II |
| 存储容量 | 72M(4M x 18) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |