Datasheet下载- 型号： CY7C1514KV18-333BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1514KV18-333BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1514KV18-333BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1514KV18-333BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1514KV18-333BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1514KV18-333BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1514KV18-333BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的一款高性能同步静态RAM（SSRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、2Mb（128K × 18位）容量、333MHz（3ns周期）高速QDR-II+架构SRAM，支持双数据速率读/写，具备独立读写端口和突发访问能力。 其典型应用场景包括： - 网络通信设备：用于高端路由器、交换机及网络处理器（NPU）中的数据包缓冲、队列管理与查找表（如TCAM辅助缓存），满足低延迟、高吞吐需求； - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、光传输系统（OTN/SDH）中作为FPGA或ASIC的高速暂存器，支撑实时信号处理与流量整形； - 测试与测量仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中实现深度数据采集缓存，保障连续采样与触发后回溯； - 工业与医疗成像系统：用于图像预处理流水线中的帧缓存或中间结果暂存，兼顾速度与确定性时序； - 军用/航天加固设备（因BZI后缀表示–40°C至+85°C工业级温度范围及无铅封装）：适用于对可靠性与宽温稳定性要求严苛的嵌入式实时系统。 该芯片凭借QDR-II+接口、零等待周期、低功耗1.8V内核及符合JEDEC标准的封装（165-ball BGA），特别适合需纳秒级随机访问、持续高带宽（可达1.33 GB/s）且时序关键的嵌入式实时应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49103 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1514KV18-333BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1514KV18333BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 72M（2M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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