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产品简介:
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CY7C1513V18-200BZC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V低电压、200MHz工作频率的1Mb(128K × 8位)QDR™ II+ SRAM。其典型应用场景包括: - 高速网络设备:用于路由器、交换机和网络处理器中的数据包缓存、FIFO缓冲及查找表(如TCAM辅助缓存),凭借QDR II+双数据速率(读/写独立总线)和200MHz时钟(400MT/s有效带宽),满足线速转发对低延迟、高吞吐的需求。 - 电信与基站设备:在4G/5G基站基带处理单元中,作为FPGA或DSP的片外高速暂存器,支持实时信号处理(如FFT、信道均衡)所需的大容量、零等待周期访问。 - 测试测量仪器:高端示波器、逻辑分析仪中用作深度采集缓存,利用其突发读写能力和确定性时序,实现高速数据连续捕获与回放。 - 工业与军事嵌入式系统:适用于对可靠性、温度范围(该器件为工业级,-40°C ~ +85°C)和抗辐射性有要求的场景,如雷达信号处理、航空电子数据记录等。 该芯片采用165-ball BGA封装(BZC后缀),具备可编程驱动强度、JTAG边界扫描支持,并符合无铅与RoHS标准,适合高密度PCB布局。需注意其需配合专用QDR控制器或FPGA IP核使用,不兼容标准SDRAM或异步SRAM接口。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1513V18-200BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(15x17) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 72M(4M x 18) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |