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- 型号： CY7C1513KV18-333BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1513KV18-333BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1513KV18-333BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1513KV18-333BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1513KV18-333BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1513KV18-333BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1513KV18-333BZC 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于“存储器”类别。该器件为1.8V供电、16Mbit（1024K × 18位）的流水线型QDR-II+ SRAM，最大工作频率达333MHz（数据速率666MT/s），采用165-ball FBGA封装（BZC后缀）。 其典型应用场景包括： • 高速网络设备：如核心路由器、交换机中的包缓冲、查找表（LUT）、队列管理等需低延迟、高吞吐的缓存环节； • 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、OTN/SDH传输设备中用于FIFO、信元/分组暂存及速率匹配； • 测试与测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器的数据采集缓存，依赖QDR-II+双数据速率和独立读/写端口实现无缝连续采样； • 军工与航空航天电子系统：在雷达信号处理、实时图像缓存等对确定性时序和抗单粒子翻转（SEU）有要求的场景中，配合加固设计使用（注：该型号为商用级，工业/军温版本需查具体后缀）； • FPGA协处理器接口：常作为Xilinx或Intel高端FPGA的外部高速缓存，支撑视频处理、AI推理加速中的权重/特征图临时存储。 该芯片不适用于大容量长期存储（如SSD/HDD替代），亦非嵌入式主存（如DDR），而是专为纳秒级访问、零等待周期、确定性读写时序的关键路径缓存而优化。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49104 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1513KV18-333BZC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 72M（4M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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