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  • 型号: CY7C1512V18-250BZXI
  • 制造商: Cypress Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1512V18-250BZXI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1512V18-250BZXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1512V18-250BZXI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1512V18-250BZXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1512V18-250BZXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1512V18-250BZXI 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM,属于1.8V低压、18位数据总线、512K×18(共9Mb)容量的QDR-II+ SRAM。其典型应用场景包括:

- 高速网络设备:如路由器、交换机、防火墙中的包缓冲、队列管理与查找表(TCAM辅助缓存),得益于QDR-II+双沿采样和250MHz时钟(500MT/s),可满足线速转发对低延迟、高吞吐的需求。

- 通信基站与无线基础设施:用于LTE/5G基带处理单元中FPGA或DSP的高速本地缓存,支撑实时信号处理、FFT缓冲及数据重排。

- 测试测量仪器:高端示波器、逻辑分析仪等需大容量、纳秒级访问的深度采集缓存。

- 工业与军事航空电子:该器件为工业级(-40°C ~ +85°C),带X(扩展温度)和I(工业级)后缀,适用于严苛环境下的实时控制与数据记录系统。

- FPGA协处理器接口:常作为Xilinx或Intel FPGA的外部高速存储扩展,用于视频帧缓存、雷达信号处理流水线中间存储等。

注:该芯片已进入产品生命周期末期(EOL),英飞凌建议转向替代方案(如Infineon新系列或DDR3/DDR4+控制器方案),但现有系统仍广泛使用于成熟工业及通信平台中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

CY7C1512V18-250BZXI

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(15x17)

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,QDR II

存储容量

72M(4M x 18)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

-40°C ~ 85°C

接口

并联

标准包装

105

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

250MHz

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