Datasheet下载- 型号： CY7C1512V18-250BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1512V18-250BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1512V18-250BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1512V18-250BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1512V18-250BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1512V18-250BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1512V18-250BZI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌）推出的 1Mb（64K × 18）同步双端口静态RAM（SRAM），采用18位数据总线、250MHz（4ns周期）高速访问，支持3.3V供电及工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），封装为119-pin BGA（BZI后缀表示无铅、符合RoHS的工业级版本）。 其典型应用场景包括： 1. 通信设备：用于网络处理器、交换机/路由器中的数据包缓存、FIFO缓冲与多主总线共享内存，利用双端口特性实现CPU与DMA或FPGA间并行、无冲突的数据交换； 2. 工业控制与自动化：在PLC、运动控制器中作为实时共享内存，供MCU与FPGA协同处理I/O数据或执行高速闭环控制； 3. 测试测量仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中暂存采集的深度波形数据，满足高吞吐与低延迟需求； 4. 军事/航空电子系统：凭借工业级温度耐受性与高可靠性，适用于雷达信号处理、航电数据总线桥接等对确定性时序和抗干扰要求严苛的场景。 该器件不适用于大容量存储或非易失场景（如Flash替代），核心价值在于低延迟、双端口并发访问与确定性时序，是高性能嵌入式系统中关键的共享缓存与协处理桥梁。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1512V18-250BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 72M（4M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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